SiC晶片的加工工程_百度知道
SiC單晶(jing)材料的硬度及脆性(xing)大,且(qie)化學穩(wen)定性(xing)好,故如何(he)獲得高平(ping)面精度的無損傷晶(jing)片表面已成為其廣泛應用所必須解決的重要問題。本論文采用定向切割晶(jing)片的方法,分別研(yan)究了(le)。
SiC晶片加工工藝及其對晶片表面的損傷-中國論文下載_上學吧
摘要:SiC單晶的(de)材質既硬且(qie)脆,加工(gong)難度(du)很(hen)大(da)。本文介紹了(le)(le)加工(gong)SiC單晶的(de)主要方法,闡述了(le)(le)其(qi)加工(gong)原理、主要工(gong)藝(yi)參數對加工(gong)精度(du)及效(xiao)率(lv)的(de)影響,提出了(le)(le)加工(gong)SiC單晶片(pian)今后。
SiC單晶片加工技術的發展_百度文庫
SiC機(ji)械密(mi)封環表面微(wei)織構激(ji)(ji)光加工(gong)工(gong)藝(yi)符(fu)永宏祖(zu)權(quan)紀敬虎楊東(dong)燕符(fu)昊摘(zhai)要:采用聲光調Q二(er)極管泵浦Nd:YAG激(ji)(ji)光器,利用"單(dan)脈沖同(tong)點間隔多次"激(ji)(ji)光加工(gong)工(gong)藝(yi),。
俺的SIC-R-WildChalice狂野卡里斯
由于SiC硬度(du)非(fei)常高,對單晶(jing)后續(xu)的(de)加工(gong)造(zao)成很多(duo)困難,包括切割(ge)和(he)磨拋.研究發現(xian)利用圖中顏色較深的(de)是摻(chan)氮條紋,晶(jing)體生長45h.從上述移動坩堝萬方數(shu)據812半導體。
SiC單晶片加工技術的發展-《新技術新工藝》2009年06期
摘要:SiC陶瓷(ci)以其(qi)(qi)優異(yi)的(de)性能得(de)到廣泛(fan)的(de)應(ying)用,但是其(qi)(qi)難以加(jia)工(gong)的(de)缺點(dian)限制了應(ying)用范圍。本文對磨削方(fang)法加(jia)工(gong)SiC陶瓷(ci)的(de)工(gong)藝(yi)參數(shu)進行了探討,其(qi)(qi)工(gong)藝(yi)參數(shu)為組合:粒度w40#。
SiC機械密封環表面微織構激光加工工藝-《排灌機械工程學報》2012
2013年10月24日-LED半導體(ti)照明(ming)網訊日本上市公(gong)司(si)薩姆肯(Samco)發布了新(xin)型(xing)晶片盒生產蝕刻系(xi)統,處理(li)SiC加工,型(xing)號為RIE-600iPC。系(xi)統主(zhu)要應用在碳(tan)化硅功率儀器平(ping)面(mian)加工。
SiC單晶生長及其晶片加工技術的進展-豆丁網
2013年10月24日-日本上市公司薩(sa)姆肯(Samco)發(fa)布了新型晶片(pian)盒生(sheng)產(chan)蝕刻系(xi)統,處(chu)理SiC加工,型號(hao)為RIE-600iPC。系(xi)統主(zhu)要應用在碳(tan)化硅功率儀器平面加工、SiCMOS結(jie)構槽(cao)刻。
SiC單晶生長及其晶片加工技術的進展-CrystalGrowthandRaw
金(jin)剛石線鋸(ju)SiC表面裂紋加工質量(liang)(liang)摘要:SiC是第三代半導(dao)體(ti)材料的核心之一(yi),廣(guang)泛用(yong)于制作電(dian)子器件,其(qi)加工質量(liang)(liang)和精(jing)度直接(jie)影響到器件的性能。SiC晶(jing)體(ti)硬度高,。
SiC從外表顏色如何區分其SiC含量的高低-已解決-搜搜問問
采(cai)用聲光調Q二極(ji)管泵浦(pu)Nd:YAG激(ji)光器,利用“單脈沖同點(dian)間隔多次(ci)”激(ji)光加工(gong)工(gong)藝(yi),對碳化硅(gui)機械密(mi)封試(shi)樣端面(mian)(mian)進行激(ji)光表面(mian)(mian)微織構的加工(gong)工(gong)藝(yi)試(shi)驗研(yan)究.采(cai)用Wyko-NTll00表面(mian)(mian)。
SiC陶瓷的磨削加工工藝研究—《教育科學博覽》—2011年第12期—
共(gong)找到(dao)2754條符合-SiC的(de)查(cha)詢結(jie)果。您(nin)可以在阿里巴巴公司黃(huang)頁搜索到(dao)關于-SiC生產(chan)(chan)商的(de)工(gong)商注(zhu)冊年份、員工(gong)人(ren)數、年營業額、信用(yong)記錄、相關-SiC產(chan)(chan)品的(de)供求信息、交易記錄。
日本薩姆肯公司推出新型SiC加工處理生產刻蝕系統
中國供(gong)應商免費(fei)提供(gong)各(ge)類(lei)sic碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)批(pi)發(fa),sic碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)價格,sic碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)廠(chang)家信(xin)息,您(nin)也可(ke)以在這里(li)免費(fei)展(zhan)示(shi)銷售sic碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui),更有機會(hui)通過各(ge)類(lei)行業展(zhan)會(hui)展(zhan)示(shi)給需求方!sic碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)商機盡在。
日本薩姆肯公司推出新型SiC加工處理生產刻蝕系統-企業新聞-首頁
金(jin)剛石多線(xian)切割設(she)備在SiC晶片(pian)加工中的應用(yong)(yong)ApplicationofMuti-DiamondWireSawtoSliceSiCCrystal查看全(quan)文下載全(quan)文導出添加到引(yin)用(yong)(yong)通知分享(xiang)到。
金剛石線鋸切割SiC的加工質量研究-《山東大學》2010年碩士論文
[圖文]2011年3月17日-SiC陶瓷與鎳基高(gao)溫合(he)金(jin)的熱壓(ya)反應燒結(jie)連接段輝平李樹杰張永(yong)剛劉深(shen)張艷黨紫(zi)九劉登科摘要:采用Ti-Ni-Al金(jin)屬復合(he)焊料(liao)粉末,利用Gleeble。
SiC機械密封環表面微織構激光加工工藝-維普網-倉儲式在線作品
PCD刀具加工SiC顆粒(li)增強鋁基復(fu)合(he)材料的公道切削速度〔摘要(yao)〕通過用(yong)掃描電鏡(jing)等方式檢測PCD刀具的性能,并與自(zi)然金剛石的相關參數進行比較,闡明了PCD刀具的優異性能。
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石墨SiC/Al復(fu)合材(cai)料(liao)壓(ya)力浸滲力學性(xing)能(neng)加工(gong)性(xing)能(neng)關鍵詞(ci):石墨SiC/Al復(fu)合材(cai)料(liao)壓(ya)力浸滲力學性(xing)能(neng)加工(gong)性(xing)能(neng)分類號:TB331正文快(kuai)照(zhao):0前言siC/。
sic碳化硅批發_sic碳化硅價格_sic碳化硅廠家其他磨具-中國供應商
[圖文(wen)]2012年11月29日-為了研究(jiu)磨(mo)削(xue)工藝參數對SiC材料(liao)磨(mo)削(xue)質量的影響規律(lv),利用DMG銑磨(mo)加(jia)工做(zuo)了SiC陶瓷平(ping)面磨(mo)削(xue)工藝實驗,分析(xi)研究(jiu)了包括(kuo)主(zhu)軸轉速、磨(mo)削(xue)深度(du)、進給速度(du)在內的。
金剛石多線切割設備在SiC晶片加工中的應用ApplicationofMuti-
研究(jiu)方(fang)向:微納(na)(na)設計與加(jia)工(gong)技(ji)(ji)術(shu)、SiCMEMS技(ji)(ji)術(shu)、微能源(yuan)技(ji)(ji)術(shu)微納(na)(na)設計與加(jia)工(gong)技(ji)(ji)術(shu)微納(na)(na)米加(jia)工(gong)技(ji)(ji)術(shu):利(li)用深刻蝕加(jia)工(gong)技(ji)(ji)術(shu),開(kai)發(fa)出適合于大規(gui)模加(jia)工(gong)的高精(jing)度(du)微納(na)(na)復合結。
SiC機械密封環表面微織構激光加工工藝-大眾科技-道客巴巴
[圖文]SiC晶體生長和加(jia)工SiC是重(zhong)要的寬禁帶(dai)半導體,具有高(gao)(gao)熱導率、高(gao)(gao)擊穿場強(qiang)等特性和優勢,是制作(zuo)高(gao)(gao)溫、高(gao)(gao)頻(pin)、大(da)功率、高(gao)(gao)壓(ya)以及(ji)抗輻射電(dian)子器件(jian)的理(li)想材(cai)料,在軍工、航(hang)天(tian)。
SiC是什么材料SiC是一種什么材料啊,他的加工性能怎樣樣?可以鉆孔
介(jie)簡單地介(jie)紹了發光(guang)二極管的發展(zhan)歷程,概(gai)述(shu)了LED用SiC襯底的超精密研磨(mo)技術(shu)的現(xian)狀及發展(zhan)趨勢,闡述(shu)了研磨(mo)技術(shu)的原理(li)、應用和優勢。同時結合實驗室(shi)X61930B2M-6型。
SiC陶瓷與鎳基高溫合金的熱壓反應燒結連接-加工工藝-機電之家網
2012年6月6日-磨料(liao)(liao)是用于磨削加(jia)工和制做磨具的一種基礎材料(liao)(liao),普通磨料(liao)(liao)種類(lei)主要有剛玉和1891年美國卡(ka)不倫登公司的E.G艾奇遜用電(dian)阻爐人工合成并(bing)發明SiC。1893年。
PCD刀具加工SiC顆粒增強鋁基復合材料的公道切削速度_中國百科網
攪拌摩擦(ca)加工(gong)SiC復合(he)層對鎂(mei)合(he)金摩擦(ca)磨(mo)損性能(neng)的影(ying)響分享到:分享到QQ空(kong)間收藏推薦(jian)鎂(mei)合(he)金是目(mu)前輕的金屬結(jie)構材料,具有密度低、比強度和比剛(gang)度高、阻尼減(jian)震性。
易加工儀表級SiC/Al復合材料的性能研究-《第十五屆全國復合材料
綜述了半(ban)導體(ti)材料SiC拋(pao)光技術的發展(zhan),介紹了SiC單(dan)晶(jing)片(pian)CMP技術的研究(jiu)現狀(zhuang),分析了CMP的原理(li)和(he)工藝參數對拋(pao)光的影響,指(zhi)出了SiC單(dan)晶(jing)片(pian)CMP急待(dai)解決的技術和(he)理(li)論問題,并對其。
SiC陶瓷非球面磨削工藝實驗研究-中國磨料磨具網|磨料磨具協會
2005年(nian)在國內率先(xian)完成1.3m深焦比(bi)輕質非球面反射鏡的研究工(gong)作,減重比(bi)達到65%,加(jia)工(gong)精度(du)優(you)于17nmRMS;2007年(nian)研制成功1.1m傳輸型詳(xiang)查相機SiC材料(liao)離(li)軸非球面主(zhu)鏡,加(jia)工(gong)。
北京大學微電子學研究院
2013年2月21日(ri)-近(jin)日(ri),三菱電機宣布,開發出(chu)了能(neng)夠(gou)一次(ci)將一塊(kuai)多晶碳化硅(SiC)錠切割(ge)成40片(pian)SiC晶片(pian)的多點放電線切割(ge)技術。據悉,該(gai)技術有望提高SiC晶片(pian)加工的生產(chan)效(xiao)率,。
SiC晶體生長和加工
加工圓孔(kong)孔(kong)徑(jing)范圍:200微米(mi)—1500微米(mi);孔(kong)徑(jing)精(jing)度:≤2%孔(kong)徑(jing);深寬/孔(kong)徑(jing)比(bi):≥20:1(3)飛(fei)秒激光數(shu)控機床(chuang)的微孔(kong)加工工藝:解決(jue)戰略型CMC-SiC耐(nai)高(gao)溫材料微孔(kong)(直(zhi)徑(jing)1mm。
LED用SiC襯底的超精密研磨技術現狀與發展趨勢Situationand
衛(wei)輝市車(che)船機電有限公司csic衛(wei)輝市車(che)船機電有限公司是中國船舶重工集(ji)團公司聯(lian)營(ying)是否提供加工/定制服務:是公司成立時間:1998年公司注冊地:河南/。
關于磨料用途與深加工方面的分析和探討-磨料用途,棕剛玉,碳化硅-
[圖文(wen)]激(ji)光(guang)加工激(ji)光(guang)熔覆(fu)陶(tao)瓷涂(tu)層(ceng)耐腐(fu)蝕性(xing)極化(hua)曲線關(guan)鍵字:激(ji)光(guang)加工激(ji)光(guang)熔覆(fu)陶(tao)瓷涂(tu)層(ceng)耐腐(fu)蝕性(xing)極化(hua)曲線采用激(ji)光(guang)熔覆(fu)技術(shu),在45鋼(gang)表(biao)面(mian)對(dui)含量不同的SiC(質(zhi)量。
攪拌摩擦加工SiC復合層對鎂合金摩擦磨損性能的影響-《熱加工工藝
●自行研(yan)(yan)發(fa)了(le)SiC晶片加工(gong)工(gong)藝:選(xuan)取適當種類、粒度、級配(pei)的磨料和(he)加工(gong)設備來切割、研(yan)(yan)磨、拋(pao)光(guang)、清洗(xi)和(he)封裝的工(gong)藝,使產(chan)品達到了(le)“即開(kai)即用”的水準(zhun)。圖(tu)7:SiC晶片。
SiC單晶片CMP超精密加工技術現狀與趨勢Situationand
離軸非球面SiC反射鏡的精密銑磨(mo)加工技術,張志宇;李銳鋼(gang);鄭立功(gong);張學軍;-機械(xie)工程學報2013年第17期(qi)在線閱(yue)讀、文章(zhang)下載。<正;0前(qian)言(yan)1環繞地球軌道運行的空間。
高精度非球面組件先進制造技術--中國科學院光學系統先進制造
2011年10月25日-加(jia)工電(dian)流(liu)非常小,Ie=1A,加(jia)工電(dian)壓(ya)為170V時(shi)(shi),SiC是加(jia)工的,當(dang)Ti=500μs時(shi)(shi),Vw=0.6mm3/min。另(ling)外,Iwanek還得出(chu)了(le)“臨界電(dian)火花加(jia)工限制”。
三菱電機研制出多點放電線切割機-中國工業電器網
經營范圍:陶(tao)(tao)(tao)瓷(ci)(ci)(ci)軸承(cheng);陶(tao)(tao)(tao)瓷(ci)(ci)(ci)噴嘴;sic密封(feng)(feng)件;陶(tao)(tao)(tao)瓷(ci)(ci)(ci)球(qiu);sic軸套;陶(tao)(tao)(tao)瓷(ci)(ci)(ci)生產加(jia)工機(ji)(ji)械(xie);軸承(cheng);機(ji)(ji)械(xie)零部(bu)件加(jia)工;密封(feng)(feng)件;陶(tao)(tao)(tao)瓷(ci)(ci)(ci)加(jia)工;噴嘴;噴頭;行業類別(bie):計(ji)算機(ji)(ji)產品(pin)。
“數控機床與基礎制造裝備”科技重大專項2013年度課題申報
因(yin)此,本(ben)文(wen)對(dui)IAD-Si膜層(ceng)的微觀結構(gou)、表(biao)面(mian)形貌(mao)及抗熱振蕩性能進行了(le)研究,這不僅對(dui)IAD-Si表(biao)面(mian)加工具有指導意義,也能進一步(bu)證明RB-SiC反(fan)射鏡表(biao)面(mian)IAD-Si改性技(ji)術的。