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微波(bo)碳(tan)化硅(gui)烘干設備(bei)是我(wo)公司(si)研(yan)發、生產的(de)化工烘干設備(bei)之一。其(qi)具有(you)烘干速度快(一般幾分鐘可完成烘干過程)、時間短、實現流水化。

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有(you)研(yan)究(jiu)者以(yi)Al2O3為(wei)添加劑,通過熱壓燒(shao)結工藝(yi),也實現了碳化(hua)硅(gui)的致密(mi)化(hua),并認為(wei)其機理是液相燒(shao)結。此外,還(huan)有(you)研(yan)究(jiu)者分別以(yi)B4C、B或B與C,Al2O3和C、Al2O3和Y2O3。

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2008年(nian)12月29日(ri)-西安(an)理(li)工大(da)學(xue)承擔的陜(shan)西重(zhong)大(da)科(ke)技創(chuang)新項目“大(da)直徑碳(tan)化硅晶體生長工藝及設備(2005ZKC05-02)”于2008年(nian)12月24日(ri)通過驗收。由(you)陜(shan)西省(sheng)科(ke)學(xue)技術廳會(hui)同省(sheng)。

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2006年7月6日-西安理工(gong)大(da)學電(dian)子工(gong)程系陳治明教授承擔的(de)陜西省(sheng)重大(da)科技創(chuang)新(xin)項目“大(da)直(zhi)徑碳化硅晶體生長工(gong)藝及設備”進展順利,目前已用該課題組(zu)自(zi)(zi)行(xing)研制(zhi)、具有自(zi)(zi)主知識產(chan)權。

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陜西重大科技創新項目“大直徑碳化硅晶體生長工藝及設備”通過驗收

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陜西省重大科技創新項目:我校“大直徑碳化硅晶體生長工藝及設備”

[摘要]一種制造單晶碳化(hua)硅薄膜的設備(bei),包括適(shi)于接受成(cheng)膜用的SOI基材100的成(cheng)膜利用本發明的方(fang)法制備(bei)碳化(hua)硅納米棒,其工藝實施簡單、易(yi)于大批量生(sheng)產、制備(bei)溫度低(di)。

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2011年(nian)6月14日-適合于采用(yong)“新料法”生(sheng)產工(gong)藝冶煉(lian)碳化(hua)硅(gui)。但(dan)是,太(tai)西煤灰分較高,一般在57、選用(yong)低“鐵污染(ran)”破碎設備進行加工(gong)碳化(hua)硅(gui)作為產品銷售時(shi),要對碳化(hua)硅(gui)。

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