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pH值對碳化硅粉體表面鍍鎳的影響-《表面技術》2013年02期

摘要:對(dui)碳(tan)化(hua)硅表面進行(xing)化(hua)學(xue)鍍(du)(du)鎳,研(yan)究了鍍(du)(du)液(ye)的pH值對(dui)鍍(du)(du)速、鍍(du)(du)層組(zu)織及(ji)形(xing)貌9丁莉(li)莉(li);化(hua)學(xue)鍍(du)(du)法制備Cu-Si復合粉體工藝研(yan)究[D];中國海(hai)洋大學(xue);2009年10。

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碳化硅粉(fen)(fen)體(ti)表面改性對分散性能的影響(xiang)研究蘇小紅1,周波2,武七德2,吉曉莉22.5鍶覆體(ti)系對SiC微粉(fen)(fen)分散穩定性能影響(xiang)機瑗掇據(ju)DLVO理論,siC粉(fen)(fen)體(ti)可以通(tong)過靜(jing)電。

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[摘要]本發明(ming)涉及一種以酵母粉為(wei)造孔劑的(de)碳化硅基體之基底的(de)機械產品,其外表(biao)面還(huan)具(ju)有(you)一氧化鋁覆層(ceng)。從而獲得高(gao)體積分數的(de)SiCp/Cu復合材料(liao)。本發明(ming)能夠。

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玉慶,作明,劉敏,周本濂,師昌緒.碳纖維涂覆碳化硅的研究[j].復合

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摘(zhai)要:對碳化(hua)硅表面進行化(hua)學鍍(du)鎳,研(yan)究(jiu)了鍍(du)液(ye)的pH值對鍍(du)速、鍍(du)層(ceng)組(zu)織及(ji)形貌的影響。結果表明:鍍(du)液(ye)pH值低于8.5時,無(wu)反應發生,粉。

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為(wei)改(gai)善SiC與金屬(shu)的結合性(xing),分(fen)(fen)別采用(yong)化學鍍法(fa)和(he)非均相(xiang)沉(chen)淀法(fa)制備(bei)Cu包裹(guo)SiC顆(ke)粒(li)復合粉(fen)體。通過XRD衍射(she)分(fen)(fen)析得出以(yi)上兩種(zhong)包裹(guo)方法(fa)都可以(yi)得到大部分(fen)(fen)包裹(guo)著Cu相(xiang)的SiC顆(ke)粒(li),。

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控制的一些主(zhu)要方(fang)法(fa),綜述了目前幾種(zhong)主(zhu)要金屬(shu)粉(fen)(fen)末(mo)(Au,Ag,Pd,Pt,Cu,Fe,Co,Ni納(na)米(mi)碳(tan)化硅粉(fen)(fen)末(mo)納(na)米(mi)金屬(shu)顆(ke)粒(li)納(na)米(mi)金剛石粉(fen)(fen)納(na)米(mi)細粉(fen)(fen)納(na)米(mi)鐵粉(fen)(fen)納(na)米(mi)銅粉(fen)(fen)納(na)米(mi)級。

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分析時(shi)間(jian)從(cong)24小時(shi)減到30min,但(dan)對Ca、Cr、Cu、Mg、Mn、Ti、V要克服方法的(de)1姚永(yong)生;;電感(gan)耦(ou)合等離子(zi)體原子(zi)發射光譜法測(ce)定碳化硅(gui)中雜質(zhi)元素(su)[J];冶金分析。

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3用天然高嶺土制備碳化(hua)(hua)硅晶須(xu)(xu)/氧化(hua)(hua)鋁復合(he)陶瓷粉的g161200580024384.X覆銅、抑制晶須(xu)(xu)生成的方法、212200780014522.5晶須(xu)(xu)得到抑制的Cu-Zn合(he)金耐熱(re)。

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746-BG28813一(yi)種氮化(hua)硅(gui)/碳化(hua)硅(gui)多孔陶瓷的制備方(fang)法747-BG28813激光熔覆制備801-BG28813納米ZrO2(Y2O3)/Cu復合功能陶瓷材料的制備方(fang)法802-BG28813一(yi)種。

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