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一種(zhong)用四(si)氯(lv)化硅(gui)與液氨在有機溶劑界(jie)面反應生成(cheng)硅(gui)亞胺,然后將其加熱(re)分(fen)解制得氮(dan)化硅(gui)粉末的方(fang)法及設(she)備,其特(te)。

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2009年9月24日(ri)-主(zhu)要內容為(wei):建設(she)氮(dan)氣(qi)發生爐(lu)(lu)(lu),液(ye)氮(dan)儲送、物料(liao)混配等(deng)(deng)原料(liao)系統,購置安裝氮(dan)化(hua)爐(lu)(lu)(lu)、納米研(yan)磨(mo)機(ji)、剛玉(yu)研(yan)磨(mo)機(ji)等(deng)(deng)氮(dan)化(hua)硅(gui)粉生產設(she)備(bei)和(he)燒(shao)結爐(lu)(lu)(lu)、煅燒(shao)爐(lu)(lu)(lu)、壓機(ji)、磨(mo)削。

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2第三(san)節(jie):3第四節(jie):4第四章(zhang):氮化(hua)硅(gui)晶(jing)須(xu)主要生(sheng)產(chan)工(gong)藝詳述節(jie):氮化(hua)硅(gui)晶(jing)須(xu)生(sheng)產(chan)工(gong)藝流程圖節(jie):氮化(hua)硅(gui)晶(jing)須(xu)生(sheng)產(chan)原材料(liao)及(ji)設(she)備1.生(sheng)產(chan)。

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球(qiu)(qiu)磨(mo)機是當(dang)代廣泛粉(fen)磨(mo)混(hun)合機械,在(zai)(zai)較高效率階段(duan),物料細度達40-60UM,篩余量(liang)小于3%,在(zai)(zai)特殊情況下(xia),細度可(ke)達10UM以下(xia).球(qiu)(qiu)磨(mo)機是物料被破(po)碎之后,再進行(xing)粉(fen)碎的關(guan)鍵設備。

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氮化硅(gui)軸(zhou)承材料(liao)金(jin)剛(gang)石幾何形狀精加工成(cheng)本毛坯諾(nuo)頓接(jie)近于費(fei)用推(tui)出一種氮化硅(gui)軸(zhou)承材料(liao)“Noralide”,用以制(zhi)成(cheng)軸(zhou)承,其(qi)成(cheng)本僅為NC-132材料(liao)軸(zhou)承的1/10;與。

一種制造高純度超細氮化硅的方法及設備

一種制(zhi)造高純度(du)超(chao)細氮(dan)化硅的(de)方(fang)法及設備(bei),其特征是硅烷和氨氣的(de)氣相化學反應(ying)(ying)(ying)是在立式雙溫(wen)區(qu)流態(tai)反應(ying)(ying)(ying)器(qi)3中(zhong)進行,該反應(ying)(ying)(ying)器(qi)流態(tai)床底部設有不銹鋼制(zhi)造的(de)分配(pei)板(ban)31,載體(ti)。

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~3MPa,并在900℃~1850℃之間進行連續或間斷(duan)燃燒合(he)成,燃燒合(he)成后的氮(dan)化硅(gui)或氮(dan)化硅(gui)鐵(tie)經(jing)自然冷(leng)卻或強(qiang)制冷(leng)卻后,呈塊狀的成品,再經(jing)球磨機(ji)、振動(dong)磨機(ji)或其它磨碎設(she)備制成。

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名稱:供應氮化硅陶瓷生產設備1、耐高溫耐磨(mo)耐腐蝕2、加工精度±0.01mm3、可(ke)替代進口(kou)陶瓷件(jian)4、耐磨(mo)耐腐蝕性是硬(ying)質合金件(jian)的4-5倍5、低成本生產的。

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顆(ke)粒污染氮(dan)(dan)化硅爐管維(wei)護周期Idlepurge高(gao)倍度電(dian)子掃描設(she)備SEM,KLA的缺陷分析設(she)備SP1等,找到了1.2.4LPCVD氮(dan)(dan)化硅爐管生產工(gong)藝中的顆(ke)粒污染介(jie)紹17-。

LPCVD氮化硅爐管生產工藝中顆粒污染的研究-《上海交通大學》2009

[圖文]摘要:摘要:研究了等(deng)離子(zi)增強化學氣相淀積(PECVD)工藝中射頻(pin)條(tiao)件(功率和頻(pin)率)對氮化硅薄膜應力的影(ying)響(xiang)。對于不同射頻(pin)條(tiao)件下薄膜的測試結果表明:低頻(pin)(LF)時氮化硅薄膜。

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氮(dan)化(hua)(hua)硅陶(tao)瓷生產廠家及公(gong)(gong)司_氮(dan)化(hua)(hua)硅陶(tao)瓷批(pi)發公(gong)(gong)司/主營產品或服務萍鄉市(shi)睿澤硅材公(gong)(gong)司描述:深圳市(shi)貝斯特(te)精(jing)密(mi)陶(tao)瓷有(you)限公(gong)(gong)司擁有(you)先進(jin)的成(cheng)型,燒結,精(jing)密(mi)加工設備(bei),以(yi)及。

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供(gong)(gong)應安(an)陽氮(dan)(dan)化硅錳(meng)高強度硅鋼(gang)增氮(dan)(dan)劑氮(dan)(dan)化硅錳(meng)生產(chan)廠家(jia)恒(heng)安(an)冶金耐(nai)材(cai)供(gong)(gong)應安(an)陽主營(ying)產(chan)品:破(po)碎(sui)(sui)(sui)設備(bei)(bei)破(po)碎(sui)(sui)(sui)設備(bei)(bei)廠家(jia)破(po)碎(sui)(sui)(sui)機價格主營(ying)行業:破(po)碎(sui)(sui)(sui)設備(bei)(bei)粉碎(sui)(sui)(sui)機其他。

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公司主要(yao)生產氮化(hua)硅(gui)(gui)結合碳化(hua)硅(gui)(gui)材料和高鉻耐(nai)火材料,現有4.5和6立(li)方(fang)等氮化(hua)窯(yao)(yao)12座,10米(mi)長的干烘窯(yao)(yao)8座,200立(li)方(fang)制氮設備(bei)2套,振(zhen)動壓機(ji)3臺,已通過工商注冊。

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25氮化(hua)(hua)硅粉末的(de)制造(zao)方(fang)法26氮化(hua)(hua)硅粉末的(de)制造(zao)方(fang)法及設(she)備27氮化(hua)(hua)硅粉體α相轉相裝置28氮化(hua)(hua)硅工程陶(tao)瓷燒結(jie)新工藝29氮化(hua)(hua)硅和碳化(hua)(hua)硅一維納(na)米(mi)結(jie)構及其制備方(fang)法。

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在亞微米的生產制造(zao)技(ji)術中,氮化硅工(gong)藝的particle已經成為產品(pin)良(liang)率的主要影(ying)響(xiang)因素。本文主要針對立式LPCVD氮。

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等離子體(ti)化(hua)學氣(qi)相沉積氮化(hua)硅薄膜生產設備(bei)2套包括高(gao)真空獲取和(he)控制設備(bei)、自動控制設備(bei)、高(gao)純反應氣(qi)體(ti)控制及CVD等離子體(ti)發生設備(bei)、真空加(jia)熱設備(bei)、設備(bei)與人員安全檢測。

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[圖文(wen)]本文(wen)主要(yao)針對(dui)立式LPCVD氮化(hua)硅(gui)爐管的氮化(hua)硅(gui)制造(zao)工(gong)藝中(zhong)所(suo)遇到particle問題進行研究。通過(guo)大量的對(dui)比(bi)性實驗進行排查與分析(xi),并利用各種先進的實驗的設(she)備和器材找到產生。

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專業生產氮(dan)化硅粉碎分級設備,青(qing)島即(ji)墨市(shi)超微粉碎機廠位于(yu)美麗的海(hai)濱城(cheng)市(shi)--青(qing)島北郊(jiao)古城(cheng)即(ji)墨,市(shi)鰲藍路(lu)東(dong)端距流亭機場10公里距青(qing)島火(huo)(huo)車(che)站(zhan)40公里、距藍村火(huo)(huo)車(che)站(zhan)20。

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43、等離子體化學氣(qi)相法(fa)制備高(gao)α相氮化硅(gui)(gui)粉(fen)體的(de)工藝44、氮化硅(gui)(gui)只讀存儲(chu)器及(ji)其制造方(fang)法(fa)45、低(di)壓燃燒合成(cheng)氮化硅(gui)(gui)或氮化硅(gui)(gui)鐵的(de)方(fang)法(fa)及(ji)設備46、提(ti)高(gao)硼硅(gui)(gui)玻璃膜(mo)及(ji)氮化硅(gui)(gui)膜(mo)。

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本發(fa)明(ming)屬于(yu)燃燒(shao)合(he)(he)成(cheng)氮化(hua)物的生產方法,主要(yao)適用于(yu)β-氮化(hua)硅的燃燒(shao)合(he)(he)成(cheng)。本發(fa)明(ming)采用燃燒(shao)合(he)(he)成(cheng)工藝或自(zi)蔓延高溫合(he)(he)成(cheng)工藝制備氮化(hua)硅粉末。本發(fa)明(ming)的技(ji)術(shu)特點是把(ba)工業原料硅粉。

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