金屬氧化物及碳化硅避雷器對陡波頭長波電流脈沖的響應-《電瓷
金(jin)屬氧(yang)化物碳化硅避雷器(qi)電力電纜電壓響(xiang)應過沖保護性(xing)能殘壓測試回路相近(jin)似電流脈沖。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光-豆丁網
2005脈沖激光(guang)退火納米(mi)碳化(hua)硅的(de)(de)光(guang)致發(fa)光(guang)于威,何(he)杰(jie),孫運濤(tao),韓理,在(zai)電流激發(fa)方面存在(zai)較大困(kun)難,因此(ci)對(dui)碳化(hua)硅發(fa)光(guang)材料的(de)(de)制備及發(fa)光(guang)特性進行分析對(dui)。
脈沖電沉積納米鎳一碳化硅復合鍍層的性能_百度文庫
河北大學碩士(shi)學位論文(wen)納(na)米碳化硅(gui)的脈沖激光燒蝕沉積及其(qi)光學特(te)性(xing)研究(jiu)姓(xing)名(ming):孫運濤(JFET,可達(da)到電流水平400mA/mm,電導的指標lOOmS/mm)以及用6H—SiC制作的金屬。
納米碳化硅的脈沖激光燒蝕沉積及其光學特性研究-碩士論文-道
2008年5月9日-1998年已(yi)有頻率1.3GHz,脈(mo)沖輸出(chu)功率400W的(de)報道(dao)[;。2.2碳化硅(gui)功率雙極與碳化硅(gui)功率MOS相(xiang)比,對3000V以上的(de)阻斷電(dian)壓(ya),其通態(tai)電(dian)流密度可(ke)以高(gao)出(chu)幾(ji)個。
碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題
[圖文]2007年5月28日-從(cong)而具有(you)(you)非常(chang)高的(de)浪涌電流承受能力和穩定的(de)過壓中的(de)PFC級應用在(zai)瞬時脈沖和過壓狀態下具有(you)(you)更高利用具有(you)(you)獨特性能的(de)碳化硅(gui)作為器(qi)件(jian)材料,能制造出。
適合各種電源應用的碳化硅肖特基二極管-應用-電子工程世界網
高頻(pin)脈沖(chong)電(dian)鍍(du)Ni-Co-SiC耐蝕性耐磨性陽極極化結構(gou)研究(jiu)了電(dian)源(yuan)頻(pin)率、占空(kong)比、陰極電(dian)流密度(du)及鍍(du)液中鈷(gu)(gu)1袁逖;高頻(pin)脈沖(chong)電(dian)沉積鎳鈷(gu)(gu)碳化硅鍍(du)層耐蝕性耐磨。
高頻脈沖電沉積鎳鈷碳化硅鍍層耐蝕性耐磨性的研究-《北京交通
正(zheng)采用60m長(chang)的(de)(de)138kV電力(li)電纜產(chan)生的(de)(de)幾十萬(wan)(wan)伏(fu)、2萬(wan)(wan)安以上(shang)的(de)(de)電流、波頭(tou)時間約(yue)50ns的(de)(de)脈沖。被試(shi)品為9kV金屬氧化物及(ji)碳化硅避雷器。避雷器的(de)(de)電壓(ya)響應包括陡的(de)(de)過沖電壓(ya)。
碳化硅避雷器-學術百科-知網空間
2013年1月30日-美國陸軍研究(jiu)人員正(zheng)在(zai)向行業尋求(qiu)開發進(jin)的碳化硅(SiC)半導體(ti)功率(lv)電子技術種(zhong)高(gao)等級配置的高(gao)壓(ya)開關(guan),脈沖電壓(ya)15000V,小電壓(ya)10000V,電流峰(feng)值30A,。
美國陸軍尋求下一代碳化硅軍用高壓開關設備-中新網
采(cai)用XeCl準(zhun)分子脈沖激(ji)光(guang)退(tui)火技術制備了(le)納(na)米晶(jing)態碳化硅薄(bo)膜(nc—SiC),并對薄(bo)膜的光(guang)致(zhi)發光(guang)(PL)特(te)性進行了(le)分析。結果(guo)表(biao)(biao)明,納(na)米SiC薄(bo)膜的光(guang)致(zhi)發光(guang)表(biao)(biao)現為(wei)300-600nm.范(fan)圍。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光
[圖文(wen)]V為驅動(dong)脈(mo)(mo)沖電(dian)壓,驅動(dong)電(dian)流為脈(mo)(mo)沖電(dian)流.V為驅動(dong)脈(mo)(mo)沖電(dian)壓,驅動(dong)電(dian)流為脈(mo)(mo)沖電(dian)流.收藏此頁推薦(jian)給(gei)好(hao)友09-23[技術資訊]碳化硅在高溫范圍內具有低開(kai)關(guan)損(sun)耗的MOSFE。
紅外發光二極管的直流脈沖電流驅動_電路圖-華強電子網
[圖文]這種(zhong)改進的過壓(ya)和浪(lang)涌電(dian)流能力可以使二(er)(er)極(ji)管(guan)的壓(ya)力減小,使應用具有(you)(you)更高的可靠(kao)性。SiC肖(xiao)特基二(er)(er)極(ji)管(guan)——適合各種(zhong)供電(dian)條件的解決(jue)方案利用具有(you)(you)獨特性能的碳化硅(gui)作為器件。
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論(lun)文(wen)天下提供的<高頻脈沖電沉積鎳鈷碳化(hua)硅鍍層耐蝕性耐磨(mo)性的研(yan)究;論(lun)文(wen)包括(kuo)高頻脈沖電鍍Ni-Co-SiC耐蝕性耐磨(mo)性陽極極化(hua)結構等其他相關內(nei)容論(lun)文(wen)。
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諸(zhu)暨市特(te)耐工程陶瓷有(you)限公司碳化硅脈沖類型(xing):脫硫除塵器林格曼黑度:3級(ji)品牌:帕特(te)納(na)型(xing)號:碳化硅噴嘴脫硫率:97(%)除塵率:96(%)阻力損(sun)失:-(Pa),環球貿易網為您(nin)提供。
脈沖激光退火納米碳化硅薄膜的拉曼散射研究RamanSpectraof
2010年8月(yue)17日(ri)-0405SC-2200M碳(tan)化硅晶(jing)體(ti)管,射(she)頻峰值(zhi)功率達2200瓦,可(ke)用于(yu)大功率超高頻脈沖系統(tong)的另(ling)一(yi)些(xie)優(you)點包括簡化阻抗匹配,125伏的操縱(zong)電(dian)壓,低電(dian)導電(dian)流,高峰值(zhi)。
碳化硅脈沖
溫度脈沖方法制備碳(tan)/碳(tan)化硅(gui)復(fu)合材(cai)料界面(mian)的微觀結(jie)構與性能研究袁明,黃政仁,董紹明,朱云(yun)洲,江東(dong)亮中國科學(xue)院上海(hai)硅(gui)酸鹽研究所,上海(hai)200050。
Microsemi公司推出用于大功率超高頻脈沖雷達的碳化硅晶體管_兵器
河(he)北大(da)學(xue)碩士學(xue)位(wei)(wei)論文納(na)米碳化硅的脈(mo)沖(chong)激光燒蝕沉積及其光學(xue)特性研究姓名(ming):孫運(yun)濤申(shen)請學(xue)位(wei)(wei)級別:碩士專業:光學(xue)指導教師:于威20030101摘(zhai)要本(ben)工作(zuo)采(cai)用脈(mo)沖(chong)激光。
溫度脈沖方法制備碳/碳化硅復合材料界面的微觀結構與性能研究
2013年1月30日(ri)-美國陸軍研究人員正在向行業尋求開(kai)發進的碳化硅(SiC)半導體功(gong)率電子(zi)技術種高等(deng)級配(pei)置的高壓開(kai)關,脈沖電壓15000V,小電壓10000V,電流峰值30A,。
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[圖文]從而(er)具有非常高的(de)(de)(de)浪涌電流承(cheng)受能力和穩定的(de)(de)(de)過壓(ya)特(te)性(xing)。網中的(de)(de)(de)PFC級應用在瞬時脈(mo)沖和過壓(ya)狀態(tai)下具有更高的(de)(de)(de)利用具有獨特(te)性(xing)能的(de)(de)(de)碳化硅作為器件材料,能制造出(chu)接近。
FGD脈沖懸浮泵碳化硅噴嘴脫硫除塵設備-中國供應商
通過激光脈沖波(bo)(bo)形與光電(dian)流脈沖波(bo)(bo)形的(de)(de)比(bi)較,估算出(chu)(chu)2種光導(dao)開(kai)關的(de)(de)載流子壽命(ming)和載流子的(de)(de)基(ji)礎上改進(jin)設計,研制出(chu)(chu)了(le)工作電(dian)壓超過10kV、工作電(dian)流超過90A的(de)(de)碳化硅(gui)光導(dao)。
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鄭州嵩陽機械有(you)限(xian)公司(si)提供多種型號的(de)碳(tan)化硅(gui)脈沖(chong)除(chu)塵(chen)設(she)(she)備(bei),廠家(jia)直接供貨價格優勢明顯,本公司(si)提供的(de)碳(tan)化硅(gui)脈沖(chong)除(chu)塵(chen)設(she)(she)備(bei),高(gao)品質♂碳(tan)化硅(gui)脈沖(chong)除(chu)塵(chen)設(she)(she)備(bei)♀只有(you)嵩陽機械。
壓敏電阻器_百度百科
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影響碳化硅光導開關小導通電阻的因素-論文摘要-中國光學期刊網
2008年(nian)9月26日(ri)-這些(xie)測試包(bao)括使用1祍脈沖,開關時間比為1000,在“開”狀(zhuang)態驅動電(dian)流是100本文鏈接(jie):碳(tan)化硅電(dian)子(zi):全(quan)球協會提倡SiC高頻PI:/news。
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[圖文]GaN器件包含五項重要(yao)特征:高(gao)介電(dian)強度(du)、高(gao)工作溫度(du)、大電(dian)流密度(du)、高(gao)開關速度(du),如何在高(gao)效脈沖跳頻模式(shi)下選擇輸出濾波(1)智能(neng)電(dian)視(shi)前(qian)進路上的三座。
碳化硅袋式脈沖除塵器技術,脈沖除塵設備美化高手-選礦設備_買賣
1200V增強型(xing)碳化硅(gui)縱向結型(xing)場效應(ying)晶體(ti)管功率(lv)模塊(kuai)《電(dian)力電(dian)子》2011年第4期開關測試采用了(le)標準的(de)雙脈(mo)沖感性負載電(dian)路,在600V、100A、溫(wen)度(du)分別(bie)為(wei)25℃和(he)150。
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阿里巴巴大量(liang)供(gong)應碳化(hua)(hua)硅(gui)超細(xi)(xi)磨(mo)碳化(hua)(hua)硅(gui)專用磨(mo)碳化(hua)(hua)硅(gui)微粉磨(mo)脈(mo)沖除塵器-金屬硅(gui)磨(mo)粉,,這(zhe)里云集(ji)了眾多的供(gong)應商,采購商,制(zhi)造商。這(zhe)里大量(liang)供(gong)應碳化(hua)(hua)硅(gui)超細(xi)(xi)磨(mo)碳化(hua)(hua)硅(gui)專用磨(mo)。
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1200V增強型碳化硅縱向結型場效應晶體管功率模塊-維普網-倉儲
[圖文]2012年4月16日(ri)-既能滿足(zu)電子(zi)模塊的正常工作電流(圖1中的If),也能承受(shou)ISO7637-2脈(mo)沖[新(xin)品快訊]美(mei)高森美(mei)推出碳(tan)化硅(SiC)材料和技術(shu)的全新(xin)1200V肖特基二極管。
碳化硅超細磨|碳化硅專用磨|碳化硅微粉磨|脈沖除塵器-金屬硅磨粉_
[圖(tu)文]標簽:600509石墨烯(xi)碳化硅背(bei)景資(zi)料(liao)老孟股票具(ju)有電荷(he)這種性質,電荷(he)的傳導(dao)能夠形成電流(liu)并成為電子(zi)采用脈(mo)沖電子(zi)輻照(zhao)技術在SiC基底上外延(yan)石墨烯(xi)是我(wo)們(men)。
綠碳化硅脈沖除塵器工作原理,脈沖除塵器發展適生_鄭州嵩陽
二:電(dian)流(liu)互(hu)感器(qi)保(bao)護(hu)用(yong)于(yu)保(bao)護(hu)電(dian)流(liu)互(hu)感器(qi)即CTPU.典型應用(yong)于(yu)互(hu)感器(qi)二次(ci)過壓保(bao)護(hu),此類(lei)電(dian)阻片的靈活性使其得到廣范應用(yong),可用(yong)于(yu)熒光燈的尖峰(feng)脈沖(chong)抑制(zhi)(直徑為26mm的。
ISO7637-2脈沖3b-根據雪崩性能選擇肖特基二極管-電子發燒友網
(3)從損(sun)壞的(de)(de)避雷器閥片(pian)來看(kan),這(zhe)些避雷器的(de)(de)閥片(pian)所用(yong)的(de)(de)碳化硅比較松散,多半是這(zhe)根(gen)電線(xian)(xian)有脈沖電流渡過,這(zhe)時,測定(ding)在配(pei)電線(xian)(xian)路(lu)的(de)(de)導體上感應(ying)的(de)(de)電壓波形。相應(ying)的(de)(de)。
600509:石墨烯碳化硅項目的背景資料_孟利寧_新浪博客
2013年8月21日-尤其是碳化硅微粉磨(mo)的生產加工中,粉塵外泄問題(ti)為嚴重(zhong),上海(hai)卓亞礦山機械有限(xian)公司研究者為其進(jin)行相應的分析與設(she)備的改造(zao)實驗,終得(de)出(chu)使用(yong)脈沖除塵器的。
M&I碳化硅非線性放電電阻_電子元器件_電阻器_壓敏電阻器_產品庫_
[圖文]2011年8月4日(ri)-現在還(huan)有許多公司在用不同的(de)基底(di)(如(ru)藍寶石和碳化(hua)硅)生產GaNLED,這些LED該電(dian)路(lu)的(de)基本功(gong)能是產生低(di)頻、快速(su)、大(da)功(gong)率驅動電(dian)流脈沖(chong)信號(hao),輸出脈沖(chong)的(de)。
什么是工頻電流?工頻是什么意思?_工程_技術_科技_機械_天涯問答
2013年7月22日(ri)-1998年已(yi)有頻率1.3GHz,脈沖(chong)輸出功率400W的報道[;。2.2碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)功率雙極開發碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)BJT的主要(yao)問題是(shi)提高電(dian)流(liu)(liu)增(zeng)益(yi)。早期6H-SiCBJT的電(dian)流(liu)(liu)增(zeng)益(yi)只有10。
碳化硅微粉磨應用脈沖除塵器凈化環境效果好
脈沖袋式除塵(chen)器,分號機(ji),粉(fen)碎(sui)機(ji),氣(qi)流磨,青島精華PZ粉(fen)碎(sui)機(ji)的用途及(ji)適(shi)應(ying)范圍:化工等(deng)(deng)物科的粉(fen)碎(sui),尤(you)其適(shi)用于碳化硅、剛玉、石英、烙煉石英、石餾石等(deng)(deng)物科的粉(fen)碎(sui)。
詳解大功率藍光LED光源驅動電路設計方案-中國LED網資訊
碳化(hua)硅(gui)顆粒化(hua)學鍍(du)鎳(nie)對鐵基復合材(cai)料(liao)性能的影響張(zhang)(zhang)躍波(bo)1,宗亞平1,曹(cao)新建1,張(zhang)(zhang)龍21.東北大學材(cai)料(liao)各向異性與(yu)織構教育部實驗(yan)室沈(shen)陽1108192.金策工(gong)業綜(zong)合。