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2第三節(jie):3第四節(jie):4第四章:氮(dan)化(hua)硅晶(jing)須主要(yao)生(sheng)產(chan)(chan)工藝詳(xiang)述節(jie):氮(dan)化(hua)硅晶(jing)須生(sheng)產(chan)(chan)工藝流程(cheng)圖(tu)節(jie):氮(dan)化(hua)硅晶(jing)須生(sheng)產(chan)(chan)原材料及設備1.生(sheng)產(chan)(chan)。

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一種制(zhi)造高(gao)純度超細氮(dan)化硅的(de)方法及(ji)設(she)(she)備,其(qi)特征是硅烷和氨(an)氣(qi)的(de)氣(qi)相化學反(fan)(fan)應是在(zai)立式雙溫區流態反(fan)(fan)應器3中進行(xing),該反(fan)(fan)應器流態床底部設(she)(she)有不銹鋼制(zhi)造的(de)分配板31,載體。

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氮化硅(gui)的(de)生(sheng)產方(fang)法劉佩(pei)珠摘要(yao):正本介紹(shao)的(de)Si_3N_4的(de)生(sheng)產方(fang)法如下:采用(yong)固體二硫化硅(gui)與(yu)氣態氨反(fan)應(ying),溫度(du)控制在800~1450℃,回收無(wu)定(ding)形(xing)Si_3N_4。。

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在亞微米的生(sheng)產制(zhi)造技術中,氮化(hua)硅(gui)工藝的particle已(yi)經成為產品良率(lv)的主要影響因素。本文(wen)主要針對立(li)式(shi)LPCVD氮。

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[圖文]摘(zhai)要:摘(zhai)要:研究(jiu)了(le)等離子增強化(hua)(hua)學氣相淀(dian)積(PECVD)工藝中射頻(pin)條件(功(gong)率和頻(pin)率)對(dui)氮化(hua)(hua)硅薄(bo)膜應力的影響。對(dui)于不同射頻(pin)條件下薄(bo)膜的測(ce)試結果表明:低頻(pin)(LF)時氮化(hua)(hua)硅。

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7-BG520氮化(hua)硅只讀(du)存儲(chu)器的(de)結構與制(zhi)造方(fang)法8-BG520低壓燃燒合成氮化(hua)硅或氮化(hua)硅鐵的(de)方(fang)法及設(she)備9-BG520利用原子層沉積法形(xing)成氮化(hua)硅間隙(xi)壁的(de)方(fang)法10-BG520密封。

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第四節(jie)主要(yao)生產(chan)設備(bei)情(qing)況介紹第四章2011-2013年中國碳化(hua)(hua)硅(gui)(gui)結(jie)合(he)氮化(hua)(hua)硅(gui)(gui)磚(zhuan)市場(chang)圖表(biao):碳化(hua)(hua)硅(gui)(gui)結(jie)合(he)氮化(hua)(hua)硅(gui)(gui)磚(zhuan)理化(hua)(hua)性質一覽圖圖表(biao):碳化(hua)(hua)硅(gui)(gui)結(jie)合(he)氮化(hua)(hua)硅(gui)(gui)磚(zhuan)生產(chan)工藝(yi)流(liu)程。

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河南(nan)科(ke)技大學(xue)畢業(ye)設計(論文)I噴涂工藝對氮(dan)化(hua)硅涂層(ceng)品質(zhi)的影響摘要鑄造因(yin)此(ci)容易在制造工藝中(zhong)受(shou)石(shi)(shi)英、石(shi)(shi)墨、設備以及管道等(deng)的沾(zhan)污。坩堝(guo)的使用一(yi)方面(mian)提高。

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