碳化硅粉末中雜質元素的測定-《上海金屬.有色分冊》1992年05期
陶瓷材料等(deng)離子發射(she)光(guang)譜法微量雜(za)質元素(su)測定微電子工業發動機雜(za)質分析高(gao)溫技術聚變裝置(zhi)微量元素(su)。
碳化硅微粉中的雜質太多怎么處理_百度知道
如(ru)碲化(hua)鉛(PbTe)、砷化(hua)銦(InAs)、硫化(hua)鉛(PbS)、碳化(hua)硅(SiC)等。與金屬材料不同,半導體(ti)中雜質含量和外界條件(jian)的(de)(de)改變(bian)(如(ru)溫度(du)變(bian)化(hua)、受(shou)光照(zhao)射等),都會(hui)使(shi)半導體(ti)的(de)(de)。
碳化硅_百度百科
怎樣去除碳化(hua)硅(gui)制品(pin)中的(de)雜質(zhi)沒有任何(he)一件事(shi)物(wu)是(shi)沒有雜質(zhi)的(de),即便(bian)是(shi)很多(duo)(duo)(duo)化(hua)學原料或者經過多(duo)(duo)(duo)重步驟(zou)產(chan)生的(de)高科技產(chan)品(pin),所以(yi),目前市場上出現的(de)碳化(hua)硅(gui)產(chan)品(pin)也有很多(duo)(duo)(duo)雜質(zhi)。但(dan)是(shi)。
碳化硅中一般都含有什么雜質?_已解決-阿里巴巴生意經
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怎樣去除碳化硅制品中的雜質-新聞動態-淄博中晶碳素有限公司
本發明(ming)涉及(ji)一種(zhong)應用X射線熒光(guang)光(guang)譜法檢測碳化(hua)硅(gui)雜質含量的(de)(de)方法,其(qi)步驟如下:1、制(zhi)(zhi)備測試樣(yang)(yang)片(pian);2、制(zhi)(zhi)備標準樣(yang)(yang)片(pian):①提純(chun)碳化(hua)硅(gui)的(de)(de)制(zhi)(zhi)樣(yang)(yang);②碳化(hua)硅(gui)提純(chun),制(zhi)(zhi)備出純(chun)品碳化(hua)硅(gui);③。
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現在的(de)原料主(zhu)要成分是硅(gui)和碳化硅(gui)的(de)混合物,里(li)面含有少量鐵雜質(zhi),怎樣除去(qu)鐵,請(qing)各位賜教,謝(xie)謝(xie)。
應用X射線熒光光譜法檢測碳化硅雜質含量的方法-查詢下載-中國
2012年12月28日-碳化(hua)硅(gui)(gui)晶體(ti)中的雜質是:鐵、鋁、鈣、鎂、硅(gui)(gui)等的氧(yang)化(hua)物(wu)(wu)和(he)碳化(hua)物(wu)(wu),以及它們(men)的共熔物(wu)(wu)。這些(xie)雜質在冶煉爐熱動力(li)條件下,溫度(du)在2100——2200℃時(shi)被蒸發排。
如何去除硅和碳化硅的混合物中的少量鐵雜質-非金屬-小木蟲-
[24]β-碳化(hua)(hua)硅(gui)(gui)因(yin)其相(xiang)較α-碳化(hua)(hua)硅(gui)(gui)擁有更(geng)高的(de)比表面(mian)積,所(suo)以可(ke)用于非均相(xiang)催化(hua)(hua)劑(ji)的(de)負載體(ti)(ti)。純的(de)碳化(hua)(hua)硅(gui)(gui)是無(wu)色的(de),工業(ye)用碳化(hua)(hua)硅(gui)(gui)由于含有鐵等雜質而呈(cheng)現棕色黑(hei)色晶體(ti)(ti)。
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碳化硅-維基百科,自由的百科全書
導熱(re)率(lv):碳(tan)化硅制品的導熱(re)率(lv)非(fei)(fei)常(chang)非(fei)(fei)常(chang)高(gao),熱(re)膨(peng)脹參數小巧,抗熱(re)震性非(fei)(fei)常(chang)非(fei)(fei)常(chang)高(gao),是優質的耐火材料。3、電學屬性恒溫下(xia)工業碳(tan)化硅是一種半(ban)導體,屬雜質導電性。高(gao)純(chun)度。
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阿里(li)巴(ba)巴(ba)供(gong)應(ying)綠(lv)色(se)碳(tan)(tan)(tan)化硅雜(za)(za)質少(shao)硅含(han)量98.5河(he)南(nan)SIC碳(tan)(tan)(tan)化硅生產基(ji)地,研磨材料(liao),這里(li)云集了眾多的(de)供(gong)應(ying)商,采購商,制(zhi)造商。這是(shi)供(gong)應(ying)綠(lv)色(se)碳(tan)(tan)(tan)化硅雜(za)(za)質少(shao)硅含(han)量98.5河(he)南(nan)。
碳化硅雜質對石墨加熱棒溫度場的影響數值模擬研究_百度文庫
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雜質碳加工工藝-催化劑,二氧化碳,碳化硅,X射線,生產碳化硅版
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碳化硅的特性和根本機能
碳(tan)化(hua)硅(gui)中(zhong)雜質的(de)形(xing)態(tai)-碳(tan)化(hua)硅(gui)中(zhong)雜質的(de)形(xing)態(tai)碳(tan)化(hua)硅(gui)的(de)研(yan)發(fa)成功并(bing)很(hen)好的(de)利用是市(shi)場發(fa)展(zhan)過程中(zhong)的(de)一大(da)進(jin)步(bu)點(dian),特別是對(dui)于1893年艾奇(qi)遜的(de)發(fa)明為引子,由此(ci)推出的(de)國(guo)內由趙廣和。
供應綠色碳化硅雜質少硅含量98.5河南SIC碳化硅生產基地
2011年6月14日-碳化硅在現代工業生產中的(de)應用(yong)范圍(wei)比較(jiao)廣(guang)泛,比較(jiao)為人(ren)們(men)所了解的(de)是應用(yong)于磨(mo)料(liao)、磨(mo)具(ju)領域。但是隨著科學(xue)技術的(de)進步,人(ren)們(men)對碳化硅的(de)認識也逐漸深入,由此開發。
綠色碳化硅硬度高,雜質少硅含量98.5優質碳化硅材料價格,
碳(tan)化硅(gui)(SiC)是用(yong)石英(ying)砂、石油(you)焦(jiao)(或煤焦(jiao))、木(mu)屑為(wei)原料通(tong)過電阻爐高(gao)溫冶(ye)煉而成。碳(tan)化硅(gui)在(zai)大自然(ran)也存在(zai)罕見的(de)礦(kuang)物,莫(mo)桑石。碳(tan)化硅(gui)又稱<a。
二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-碩士論文-道客巴巴
碳(tan)(tan)化硅(gui);物理性(xing)質性(xing)狀:綠(lv)(lv)色藍黑(hei)(hei)色結(jie)(jie)晶(jing)性(xing)粉末.含雜(za)質的碳(tan)(tan)化硅(gui)為(wei)(wei)綠(lv)(lv)色,固性(xing)狀:綠(lv)(lv)色藍黑(hei)(hei)色結(jie)(jie)晶(jing)性(xing)粉末.含雜(za)質的碳(tan)(tan)化硅(gui)為(wei)(wei)綠(lv)(lv)色,固溶有炭(tan)和金屬氧化物雜(za)質呈黑(hei)(hei)色。密。
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論文(wen)(wen)天下提供的<二次(ci)(ci)離(li)子質(zhi)譜(pu)分析(xi)碳(tan)化硅中釩雜(za)質(zhi)含(han)量的研究;論文(wen)(wen)包括碳(tan)化硅二次(ci)(ci)離(li)子質(zhi)譜(pu)釩摻(chan)雜(za)定(ding)量分析(xi)二次(ci)(ci)離(li)子質(zhi)譜(pu)分析(xi)離(li)子注入樣品等其(qi)他相(xiang)關(guan)內容論文(wen)(wen)。
jinshinaicai-和訊財經微博-碳化硅中雜質的形態-碳化硅中..
2013年4月24日-碳(tan)化硅俗稱金(jin)剛(gang)石(shi),又稱碳(tan)硅石(shi),主要用作耐(nai)磨材(cai)料,耐(nai)火材(cai)料,核反(fan)應堆材(cai)料及制造電(dian)阻發熱硅碳(tan)棒(管),半導(dao)體元件(jian),C二級(ji)管,晶體管,電(dian)器元件(jian),火箭(jian)噴管等。
加強生產工藝管理提高碳化硅產品質量——寧夏天凈集團碳化硅
產業領域:新(xin)能(neng)源(yuan)光伏需求類(lei)型:技術服務需求編號:189-07制粉是碳化硅(gui)微粉生產中的重(zhong)要工(gong)序,但(dan)由于(yu)碳化硅(gui)的硬(ying)(ying)度(du)較高,其莫氏硬(ying)(ying)度(du)為9.5級,在(zai)莫氏硬(ying)(ying)度(du)標準中僅低(di)于(yu)金剛(gang)石。
碳化硅-搜搜百科
本文采用ICP-MS法對高純碳化硅粉表(biao)面的Na、Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd12種(zhong)痕量雜(za)質進行測定,用氫氟酸溶(rong)液浸提試樣表(biao)面雜(za)質,用釔做內標(biao)補償。
碳化硅|化合物-查字典
一(yi)種無(wu)TiC雜(za)(za)質相的碳(tan)化硅鈦陶瓷(ci)粉(fen)體(ti)的合(he)成方法,其(qi)特征在于:(1)以(yi)Ti粉(fen)、Si粉(fen)和TiC本(ben)發明公開了一(yi)種低成本(ben)無(wu)TiC雜(za)(za)質相的碳(tan)化硅鈦陶瓷(ci)粉(fen)體(ti)的常壓(ya)合(he)成方法,。
二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-收費碩士博士論文-
臨沂市金蒙碳(tan)化硅(gui)(gui)有限公司是(shi)一家擁有國內先進的碳(tan)化硅(gui)(gui)微粉,黑(hei)碳(tan)化硅(gui)(gui),綠碳(tan)化硅(gui)(gui),綠碳(tan)化硅(gui)(gui)微粉,黑(hei)碳(tan)化硅(gui)(gui)微粉,碳(tan)化硅(gui)(gui)粒度(du)砂,生產線(xian)和工藝技術,服務(wu)熱線(xian):400-6291-618。
碳化硅成分及性質_行業新聞_濟源防腐耐磨材料有限公司
2008年5月9日-碳(tan)化硅(gui)電力電子器件研發進展與存在(zai)問題,1引言借助于(yu)微電子技術(shu)的(de)長足發展,以硅(gui)器件為基礎的(de)電力電子技術(shu)因大功(gong)率場效應晶體管(功(gong)率MOS)和(he)絕(jue)緣(yuan)柵雙極(ji)晶體。
要除去碳化硅中的含鐵的雜質和氧化鋁膠體及游離碳,需要進行酸
1、游離硅。它一部分溶(rong)解于(yu)(yu)SiC晶(jing)(jing)體中,一部分與(yu)其雜質(如(ru)鐵、鋁、鈣(gai)等)形成合金而粘附于(yu)(yu)晶(jing)(jing)體上或嵌在晶(jing)(jing)體中。2、游離二氧化(hua)硅。通常存在于(yu)(yu)晶(jing)(jing)體表面。大都是由于(yu)(yu)。
請教一下有關碳化硅的一些問題_化學吧_百度貼吧
對SiC中基態施主能(neng)(neng)級分裂對雜質(zhi)電(dian)離的(de)影響(xiang)(xiang),與(yu)溫(wen)度(du)、摻(chan)(chan)雜濃(nong)度(du)和雜質(zhi)能(neng)(neng)級深(shen)度(du)的(de)關系進行了(le)系統研究。發現只(zhi)有(you)在高溫(wen)且摻(chan)(chan)雜濃(nong)度(du)低的(de)情況下,能(neng)(neng)級分裂的(de)影響(xiang)(xiang)很小可忽略不計。
(189-07,新能源光伏,技術服務)碳化硅微粉中鐵雜質清除裝置及方法
氮化硅(gui)結(jie)合碳化硅(gui)材料反應燒結(jie)時的雜質相行為分析,郝(hao)小勇(yong);-陶(tao)瓷工(gong)程1998年(nian)第(di)03期在線閱(yue)讀、文章下(xia)載(zai)。<正(zheng);l前言(yan)Si3N4結(jie)合SIC材料的研究近年(nian)來在國內發展較快,該。
ICP-MS法測定高純碳化硅粉表面的痕量雜質Determinationoftrace
分析了(le)Si3N4結(jie)(jie)合Si3C材(cai)(cai)料反(fan)應燒結(jie)(jie)時Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等雜質相的(de)反(fan)應行(xing)為(wei)。氮化(hua)(hua)硅結(jie)(jie)合碳化(hua)(hua)硅材(cai)(cai)料反(fan)應燒結(jie)(jie)時的(de)雜質相行(xing)為(wei)分析前言(yan):分析了(le)Si3N4結(jie)(jie)合Si3C材(cai)(cai)料。
碳化硅陶瓷工藝流程解析-新聞-九正建材網(中國建材網)
[圖文]目前,國內使用(yong)的(de)切割(ge)液和碳(tan)(tan)化硅(gui)微粉在線(xian)切割(ge)過程(cheng)中,砂漿(jiang)(jiang)中不可(ke)避(bi)免(mian)的(de)會混入硅(gui)粉、鐵、高(gao)聚(ju)物等(deng)雜質,部(bu)分碳(tan)(tan)化硅(gui)微粉也會因切割(ge)作用(yong)而出現破損(sun),產生的(de)廢砂漿(jiang)(jiang)很難繼續(xu)。
一種無TiC雜質相的碳化硅鈦陶瓷粉體的合成方法-200710118878-錢眼
氮化(hua)硅(gui)結(jie)合碳(tan)化(hua)硅(gui)材料(liao)反應燒結(jie)時的雜(za)質(zhi)相行為分析-分析了Si3N4結(jie)合Si3C材料(liao)反應燒結(jie)時Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等雜(za)質(zhi)相的反應行為。
黑碳化硅,綠碳化硅,綠碳化硅微粉,黑碳化硅微粉,碳化硅粒度砂|臨沂
碳(tan)化硅(gui)質泡(pao)沫(mo)陶瓷(ci)過(guo)濾片(pian),去孔,濾渣,吸附(fu)雜(za)質泡(pao)沫(mo)陶瓷(ci)過(guo)濾片(pian)簡介(jie)泡(pao)沫(mo)陶瓷(ci)過(guo)濾器的過(guo)濾機(ji)理:整(zheng)流作用:在澆鑄系統中放置泡(pao)沫(mo)陶瓷(ci)過(guo)濾片(pian)后,金屬液流阻(zu)力增大(da),。
碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題
淄(zi)博(bo)鑄泰碳(tan)(tan)素有(you)限公司碳(tan)(tan)化(hua)硅簡介:碳(tan)(tan)化(hua)硅英(ying)文名(ming)稱:siliconcarbide,俗稱金(jin)剛砂。純(chun)碳(tan)(tan)化(hua)硅是(shi)無色透明的(de)晶體(ti)。工業碳(tan)(tan)化(hua)硅因所(suo)含(han)雜質的(de)種類和含(han)量(liang)不同,而呈淺黃、綠、藍。