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1、碳化(hua)硅的特性。與(yu)硅和(he)砷(shen)化(hua)鎵GaAs為代表的傳統半(ban)導體(ti)材料相比,碳化(hua)硅C半(ban)導體(ti)在(zai)工作度、抗輻射、耐高擊穿電壓(ya)性能(neng)等方面具(ju)有很大優勢。碳化(hua)硅C作為目(mu)前(qian)。

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2013年(nian)8月16日-天(tian)富(fu)熱電(600509)旗(qi)下北京(jing)天(tian)科合達(da)藍光半導(dao)體(ti)公司近期招聘晶體(ti)技工,為(wei)碳化(hua)硅(gui)晶片進一步研發生產鋪路。隨著下游LED行業回暖(nuan),公司今年(nian)將加大碳化(hua)硅(gui)晶片出貨量(liang)。

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雙重加熱法合成碳化硅晶片的研究_巖石礦物材料學_論文網

2007年7月26日-天富熱電首(shou)批新安裝的3臺碳(tan)化硅(gui)生(sheng)長爐(lu)調試(shi)運行正常(chang),生(sheng)產出(chu)的碳(tan)化硅(gui)晶(jing)片產品已經下線并發貨給用(yong)戶。付云峰認為,這標志著(zhu)碳(tan)化硅(gui)產品從晶(jing)體生(sheng)長、切割。

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2008年1月28日(ri)-同時,在國內建立(li)了一條完整的(de)從切(qie)割、研磨到化(hua)學(xue)機械拋光(CMP)的(de)碳(tan)化(hua)硅晶片中試生產線,建成了百級超凈(jing)室(shi),開發(fa)出碳(tan)化(hua)硅晶片表(biao)面處(chu)理(li),清洗、封(feng)裝(zhuang)等(deng)。

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2009年4月(yue)22日(ri)-北京(亞洲金(jin)屬)2009-4-22據悉(xi),4月(yue)20日(ri),新疆(jiang)天科合達藍光半(ban)導體有(you)限公(gong)司對其(qi)2英寸6H導電型碳化硅(gui)晶片報出150-250美元/片的超低促銷價(jia)格,給國際(ji)。

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2012年(nian)(nian)4月9日-清一色的(de)(de)海外留(liu)學人(ren)員組成的(de)(de)研發團隊(dui)和銷售團隊(dui),歷時一年(nian)(nian),量產(chan)了(le)中國(guo)(guo)首批3英寸和4英寸碳化硅(SiC)半導體外延晶片,填補了(le)國(guo)(guo)內該領域(yu)的(de)(de)空白。近日,位(wei)于火炬(ju)。

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摘要:常規加熱技術生產(chan)的碳化硅(gui)晶(jing)(jing)片能耗大、成(cheng)本(ben)高,所以(yi)在國內外市場上碳化硅(gui)晶(jing)(jing)片的供應量(liang)少、價(jia)格高,限(xian)制(zhi)了(le)碳化硅(gui)晶(jing)(jing)片在復合材(cai)料中的廣(guang)泛(fan)應用。采用粉末電(dian)熱體。

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