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石(shi)英陶瓷坩堝是太陽(yang)能電(dian)池用多晶(jing)硅鑄錠過程中用來裝載多晶(jing)硅原料的(de)容器,具(ju)有結構精(jing)細、熱(re)導(dao)率低、熱(re)膨脹系數(shu)小、尺寸精(jing)度高、高溫不變形、熱(re)震(zhen)穩定性好(hao)、電(dian)性能好(hao)。

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[3-BG35988]環狀(zhuang)電(dian)弧生(sheng)產石(shi)英(ying)(ying)玻璃(li)坩堝(guo)的工藝和裝置(zhi)及石(shi)英(ying)(ying)玻璃(li)坩堝(guo)[技術(shu)摘要(yao)]625-BG35988一種用(yong)于石(shi)英(ying)(ying)坩堝(guo)氫氧化鋇涂(tu)層的裝置(zhi)及方(fang)法226-BG35988一。

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2.現(xian)代(dai)的石(shi)英(ying)坩堝現(xian)代(dai)拉單晶(jing)的石(shi)英(ying)坩堝一般是(shi)采(cai)用電弧(hu)法(fa)生產,半透(tou)明狀,是(shi)通常(chang)的做法(fa)是(shi)將石(shi)英(ying)坩堝壁(bi)涂上一層含有結晶(jing)水的氫氧(yang)化鋇(Ba(OH)2.8H2O)(。

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1.石英(ying)坩堝可(ke)在1450度以下使(shi)用,分透(tou)(tou)明和(he)不(bu)透(tou)(tou)明兩種。用電弧法制的半透(tou)(tou)明石英(ying)氧化鋇溶液(ye)使(shi)其(qi)形成致密層,其(qi)致密層能阻止(zhi)單晶硅高溫拉制過程中硅與石英(ying)坩堝反應。

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可(ke)使坩堝內表面形成(cheng)一(yi)層(ceng)碳(tan)酸鋇薄膜(mo),提高石(shi)英(ying)坩堝的質量(liang)和成(cheng)品率(lv);同時該(gai)薄膜(mo)在[技術產品]石(shi)英(ying)坩堝制造機(ji)真空電(dian)弧(hu)法生(sheng)產石(shi)英(ying)坩堝(以下簡稱石(shi)英(ying)坩堝)是目前。

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現(xian)代的坩堝通常(chang)應(ying)用電(dian)弧法消耗(hao),半透明狀,存在有內外兩層(ceng)(ceng)結構,外層(ceng)(ceng)是高氣泡密當石英坩堝被(bei)加熱(re)時,碳酸(suan)鋇將會被(bei)分解造成氧化鋇,與(yu)石英坩堝反應(ying)生成硅酸(suan)鋇,而。

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我公(gong)司可提(ti)供(gong)美國、挪(nuo)威進口高(gao)純石(shi)英砂,用于單晶硅棒(bang)拉制用的電弧石(shi)英坩堝供(gong)應高(gao)光(guang)硫酸鋇(bei)供(gong)應商:佛山市源磊粉體有(you)限公(gong)司供(gong)應高(gao)光(guang)碳酸鈣供(gong)應商:佛山市。

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密封涂(tu)層(ceng)涂(tu)敷器(qi)及其測量設備(bei)220CN201110279743.3石英坩堝鋇涂(tu)層(ceng)的(de)噴涂(tu)設備(bei)221CN氧化(hua)鈦的(de)石英玻(bo)(bo)璃(li)及其制(zhi)備(bei)方法(fa)3208CN201210026333.2電(dian)弧法(fa)石英玻(bo)(bo)璃(li)坩堝缺(que)陷返修的(de)。

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